[12a-M121-1~9] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[12a-M121-7] ヘテロエピタキシャルダイヤモンド上サブミクロンゲートMOSFETの高周波特性

石松 裕真¹、大石 敏之¹、鴨川 拓弥¹、サハ ニロイ　チャンドラ¹、金 聖祐²、〇嘉数 誠¹ (1.佐賀大院工、2.アダマンド並木精密宝石)

キーワード：ダイヤモンド、高周波、FET

大口径化できるヘテロエピタキシャルダイヤモンド上にサブミクロンゲートMOSFETを作製し，遷移周波数f_T = 2.1 GHz，最大発振周波数f_MAX = 6.0 GHzを得た．