The 66th JSAP Spring Meeting, 2019

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21 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices" » 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[12a-PA3-1~26] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

Tue. Mar 12, 2019 9:30 AM - 11:30 AM PA3 (PA)

9:30 AM - 11:30 AM

[12a-PA3-11] Evaluation of luminescence properties in hydrothermally synthesized ZnO nanorods

Sosuke Masuzawa1, Norihiko Kamata1, Zentaro Honda1 (1.Saitama Univ.)

Keywords:Wide gap semiconductor, nanorods, Photoluminescence

ZnOは大きな励起子結合エネルギーを持つワイドギャップ材料であり、その優れた光学的、電気的特性から幅広い分野において大きな関心を集めている。光学特性を設計するうえで発光起源とその原因の解明は不可欠であるが、諸説あり解明には至っていない。本実験では水熱合成法によりZnOナノロッドを作成し、アニール条件と成長条件についてPL測定により評価を行った。