[12a-PA3-1~26] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[12a-PA3-12] First principles study on the atomic and electronic structures of complex defects in the Ga₂O₃

〇(D)Kenta Chokawa¹, Kenji Shiraishi^2,1 (1.Nagoya Univ., 2.IMaSS, Nagoya Univ.)

Keywords:Ga2O3, defect, First principles calculation

β-Ga₂O₃中の点欠陥についての理論計算はすでに報告されているが、複数の欠陥が近傍に存在する複合欠陥やα-Ga₂O₃中に欠陥についての報告は少ない。そこで本研究では第一原理計算によりβ-Ga₂O₃とα-Ga₂O₃中での複合欠陥について調べた。Ga₂O₃中ではガリウム空孔欠陥(VGa)が発生しづらいことが知られている。しかし、近傍に酸素原子空孔(V_O)が存在する場合に、V_Ga欠陥の形成エネルギーが小さくなり、V_O-V_Ga複合欠陥が形成される可能性があることを明らかにした。