The 66th JSAP Spring Meeting, 2019

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21 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices" » 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[12a-PA3-1~26] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

Tue. Mar 12, 2019 9:30 AM - 11:30 AM PA3 (PA)

9:30 AM - 11:30 AM

[12a-PA3-12] First principles study on the atomic and electronic structures of complex defects in the Ga2O3

〇(D)Kenta Chokawa1, Kenji Shiraishi2,1 (1.Nagoya Univ., 2.IMaSS, Nagoya Univ.)

Keywords:Ga2O3, defect, First principles calculation

β-Ga2O3中の点欠陥についての理論計算はすでに報告されているが、複数の欠陥が近傍に存在する複合欠陥やα-Ga2O3中に欠陥についての報告は少ない。そこで本研究では第一原理計算によりβ-Ga2O3とα-Ga2O3中での複合欠陥について調べた。Ga2O3中ではガリウム空孔欠陥(VGa)が発生しづらいことが知られている。しかし、近傍に酸素原子空孔(VO)が存在する場合に、VGa欠陥の形成エネルギーが小さくなり、VO-VGa複合欠陥が形成される可能性があることを明らかにした。