9:30 AM - 11:30 AM
[12a-PA3-12] First principles study on the atomic and electronic structures of complex defects in the Ga2O3
Keywords:Ga2O3, defect, First principles calculation
β-Ga2O3中の点欠陥についての理論計算はすでに報告されているが、複数の欠陥が近傍に存在する複合欠陥やα-Ga2O3中に欠陥についての報告は少ない。そこで本研究では第一原理計算によりβ-Ga2O3とα-Ga2O3中での複合欠陥について調べた。Ga2O3中ではガリウム空孔欠陥(VGa)が発生しづらいことが知られている。しかし、近傍に酸素原子空孔(VO)が存在する場合に、VGa欠陥の形成エネルギーが小さくなり、VO-VGa複合欠陥が形成される可能性があることを明らかにした。