The 66th JSAP Spring Meeting, 2019

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21 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices" » 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[12a-PA3-1~26] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

Tue. Mar 12, 2019 9:30 AM - 11:30 AM PA3 (PA)

9:30 AM - 11:30 AM

[12a-PA3-15] Electronic band structures of α-Ir2O3

Yuichi Ota1 (1.TIRI)

Keywords:Ir2O3, Oxide semiconductor, First principles calculation

密度汎関数理論(DFT)に基づく第一原理計算によってα-Ir2O3のバンド構造を計算した。バルク状態のα-Ir2O3は間接遷移型のバンド構造であることを明らかにした。また、a,b軸の格子定数をα-Ga2O3にすると、すなわち圧縮歪を与えるとVBMやCBMの位置が変わることを見出した。