[12a-PA3-1~26] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[12a-PA3-15] α-Ir₂O₃のバンド構造

〇太田 優一¹ (1.都産技研)

キーワード：酸化イリジウム、酸化物半導体、第一原理計算

密度汎関数理論(DFT)に基づく第一原理計算によってα-Ir₂O₃のバンド構造を計算した。バルク状態のα-Ir₂O₃は間接遷移型のバンド構造であることを明らかにした。また、a,b軸の格子定数をα-Ga₂O₃にすると、すなわち圧縮歪を与えるとVBMやCBMの位置が変わることを見出した。