The 66th JSAP Spring Meeting, 2019

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21 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices" » 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[12a-PA3-1~26] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

Tue. Mar 12, 2019 9:30 AM - 11:30 AM PA3 (PA)

9:30 AM - 11:30 AM

[12a-PA3-2] Influence of H2O on ZnO Thin Film Fabrication by Mist CVD

Phimolphan Rutthongjan1, 〇Misaki Nishi1, Toshiyuki Kawaharamura1, Masahito Sakamoto1, Li Liu1, Shota Sato1, Mariko Ueda1, Tatuya Yasuoka1, Ryo Hasegawa1, Tamako Ozaki1, Dang T.Gian1 (1.Kochi Univ. Tech.)

Keywords:Mist CVD

本研究室で開発を進めているミスト流を利用した機能膜形成技術「ミストCVD」は最近、時間的・空間的な隔たりをうまく活用することが可能な気液混相流を利用する事で、従来の機能膜形成技術では不可能であった事ができる新世代(第3世代)技術へと進化してきた。今回はこの第3世代ミストCVDを利用してZnO薄膜の高品質化に関する研究を行った。表面での原料の挙動等に関して理論と併せて詳しく説明したい。