[12a-PA3-1~26] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[12a-PA3-5] ミスト化学気相成長法によるYSZ基板上でのβ-Ga₂(O_1-xS_x)₃混晶の作製

〇廣江 翼¹、長野 望江¹、赤岩 和明¹、阿部 友紀¹、加渡 幹尚²、市野 邦男¹ (1.鳥取大学、2.トヨタ自動車)

キーワード：酸化物半導体、酸化ガリウム、ミスト化学気相成長法