[12a-PA3-1~26] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [12a-PA3-6] ミストCVD法によるc面Al₂O₃基板への
Ni_1-XMg_XO薄膜のエピタキシャル成長とバンドギャップ制御

〇米谷 怜¹、池之上 卓己²、三宅 正男²、平藤 哲司² (1.京大工、2.京大院エネ科)

キーワード：ミストCVD法、酸化マグネシウムニッケル

NiO は、酸化物半導体では稀少な p 型伝導性を示すワイドギャップ (3.6eV) 半導体として知られており、発光デバイスやパワーデバイスへの応用のため、更に大きなバンドギャップを有する p 型材料が求められている。そこで、 NiO と同じ岩塩構造を有し、バンドギャップ 7.8 eV である MgO との混晶である Ni_1-XMg_XO に注目した。本研究では、ミスト CVD 法による c 面 Al₂O₃ 基板上への Ni_1-XMg_XO 薄膜エピタキシャル成長と、光学バンドギャップの変化について検討した。