[12a-PA3-1~26] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

△ [12a-PA3-6] Epitaxial Growth and Bandgap Control of Ni_1-XMg_XO Thin Films on c-plane Al₂O₃ Substrates by Mist Chemical Vapor Deposition Method

〇Satoshi Yoneya¹, Takumi Ikenoue², Masao Miyake², Tetsuji Hirato² (1.Faculty of Eng., Kyoto Univ., 2.Graduate School of Energy Sci., Kyoto Univ.)

Keywords:Mist Chemical Vapor Deposition Method, nickel oxide-magnesium oxide

NiO は、酸化物半導体では稀少な p 型伝導性を示すワイドギャップ (3.6eV) 半導体として知られており、発光デバイスやパワーデバイスへの応用のため、更に大きなバンドギャップを有する p 型材料が求められている。そこで、 NiO と同じ岩塩構造を有し、バンドギャップ 7.8 eV である MgO との混晶である Ni_1-XMg_XO に注目した。本研究では、ミスト CVD 法による c 面 Al₂O₃ 基板上への Ni_1-XMg_XO 薄膜エピタキシャル成長と、光学バンドギャップの変化について検討した。