[12a-PA3-1~26] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[12a-PA3-7] Influence of Material Solvents on Thin Film Fabrication by Mist CVD

〇Masahito Sakamoto¹, Tatsuya Yasuoka¹, Misaki Nishi¹, Li Liu¹, Phimolphan Rutthongjan¹, Shota Sato¹, Mariko Ueta¹, Yuki Tagashira¹, Ryo Hasegawa¹, Tamako Ozaki¹, Giang T. Dang¹, Toshiyuki Kawaharamura^1,2 (1.Kochi Univ. of Tech., 2.Res. Inst.)

Keywords:Mist CVD, Ga2O3, TG-DTA

近年、酸化物薄膜作製手法として多くの関心を集める手法の一つに大気圧下で多種多様な機能薄膜を作製可能な「ミストCVD法」がある。原料となる元素を含むミストを基板上で熱分解することで機能薄膜を形成する。本研究室では薄膜成長メカニズム・多種多様な機能薄膜・新世代(第3世代)技術を中心に研究に取り組んでいる。今回は、H₂O, MeOH, HCl, NH₃などの原料溶媒の観点から、溶媒が薄膜に与える影響について報告する。