[12a-PB3-1~16] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

[12a-PB3-2] Deposition of amorphous silicon film at low temperature containing a little hydrogen

〇Daisuke Azuma¹, Yoshitaka Setoguchi¹, Yasunori Andoh¹ (1.Nissin Electric Co.)

Keywords:amorphous silicon, TFT, low temperature

従来LTPS用の低水素a-Si膜形成には耐熱性のある基板を用いた上で、高圧下でプラズマCVD成膜した後に400℃以上で脱水素アニールなどを行っている。安価で、かつフレキシブルな樹脂基板を考慮した場合、プロセスの低温化が必要不可欠である。今回誘導結合プラズマ技術、Arおよび水素で希釈したSiF4ガスを用い、比較的低温な基板温度300℃においても、脱水素処理が不要な領域の低水素a-Si膜を確認した。