2019年第66回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

17 ナノカーボン » 17.3 層状物質

[12a-W521-1~10] 17.3 層状物質

2019年3月12日(火) 09:00 〜 11:30 W521 (W521)

町田 友樹(東大)

09:15 〜 09:30

[12a-W521-2] ファンデルワールス界面を利用した2次元強磁性体の磁気異方性制御

松岡 秀樹1、中野 匡規1、岩佐 義宏1,2 (1.東大院工、2.理研CEMS)

キーワード:磁性、層状物質、ヘテロ構造

ファンデルワールス(vdW)物質は様々な二次元物性発現の場として発展を続けているが、特に近年発見された二次元磁性体は、ヘテロ構造への展開の幅広さから大きな注目を集めている。本研究では、新しい二次元磁性体であるセレン化バナジウムエピタキシャル薄膜が組み込まれた磁気vdWヘテロ構造を分子線エピタキシー法により作製した。発表では、それらのヘテロ構造の輸送特性を示し、二次元磁性に対する界面効果を議論する。