[12a-W521-1~10] 17.3 層状物質

[12a-W521-3] TaSe₂エピタキシャル薄膜のMBE成長と輸送特性

〇田中 勇貴¹、松岡 秀樹¹、中野 匡規¹、岩佐 義宏^1,2 (1.東大院工、2.理研CEMS)

キーワード：超伝導、遷移金属ダイカルコゲナイド、分子線エピタキシー法

NbSe₂に代表されるV族遷移金属ダイカルコゲナイド（TMD）の超薄膜は、空間反転対称性の破れと大きなスピン軌道相互作用に起因する特異な超伝導状態（イジング超伝導）を示すため、非常に興味深い物質系である。本研究では、NbSe₂とは大きく異なった電子構造をもつ金属TMDであるTaSe₂に着目する。分子線エピタキシー（MBE）法を用いた良質なTaSe₂超薄膜を作製し、それらの輸送特性の評価を行った。