[12a-W541-1~12] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [12a-W541-5] Evaluation of III-V nitride layers grown homo-epitaxially on GaN bulks by photothermal deflection spectroscopy

〇Kiyotaka Fukuda^1,2, Shuhei Yashiro^1,2, Hajime Fujikura³, Taichiro Konno³, Takayuki Suzuki³, Tetsuji Fujimoto³, Takehiro Yoshida³, Takeyoshi Onuma², Tomohiro Yamaguchi², Tohru Honda², Masatomo Sumiya¹ (1.NIMS, 2.Kogakuin Univ., 3.SCIOCS)

Keywords:GaN, PDS, non-radiative recombination

III-V族窒化物材料のバンドギャップ内の深い欠陥準位を検出できる光熱偏向分光法を開発し、それを用いてGaN自立基板上とホモエピタキシャル成長した層について評価を行ったので報告する。