[12a-W541-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

[12a-W541-6] キンクおよびステップ構造を持つGaN極性表面におけるO不純物の脱離エネルギーの解析

〇河村 貴宏^1,2、竹田 浩基¹、北本 啓²、今西 正幸²、吉村 政志²、森 勇介²、森川 良忠²、寒川 義裕³、柿本 浩一³ (1.三重大院工、2.阪大院工、3.九大応力研)

キーワード：窒化ガリウム、OVPE、第一原理計算

GaNの気相成長法の1つであるOVPE法ではGa原料にGa₂Oを用いるためO不純物濃度が高くなりやすく，その制御が課題となっている．我々はこれまでに第一原理計算を用いてOVPE成長条件下において比較的平坦なGaN表面へのO不純物の吸着について解析を行ってきた．本研究ではキンクおよびステップ構造を持つGaN表面へのO不純物の吸着およびその脱離エネルギーについて解析を行ったので，その結果を発表する．