[12a-W541-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [12a-W541-7] OVPE法によるCH₄を用いた高速成長条件での厚膜・自立GaN結晶の作製

〇(B)神山 将大¹、郡司 祥和¹、小林 大也¹、大芝 啓嘉¹、北本 啓¹、今西 正幸¹、吉村 政志¹、伊勢村 雅士²、隅 智亮³、滝野 淳一^1,3、岡山 芳央³、信岡 政樹³、森 勇介¹ (1.阪大工、2.伊藤忠プラスチック(株)、3.パナソニック(株))

キーワード：OVPE、メタン、窒化ガリウム