[12a-W541-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [12a-W541-8] OVPE法によるホモエピタキシャルGaN厚膜の欠陥構造評価

〇真鍋 海希¹、藤平 哲也¹、滝野 淳一^2,3、隅 智亮²、今西 正幸³、森 勇介³、酒井 朗¹ (1.阪大院基礎工、2.パナソニック、3.阪大院工)

キーワード：窒化物半導体、OVPE法、多光子励起