11:30 AM - 11:45 AM
△ [12a-W611-10] Fabrication and lasing characteristics of 1.3-µm lateral-current-injection membrane lasers on SiC wafers
Keywords:semiconductor laser
本報告では、低消費電力・アンクール動作可能な高速直接変調レーザ実現を目的として、低屈折率・高熱伝導率のSiC基板上に1.3 µm帯横注入メンブレンレーザを作製した。SiC基板による十分な放熱効果を得るため極薄膜のSiO2膜(40 nm)を介したInPとSiC基板の酸素プラズマ表面活性化接合を確立し、室温から高温までの連続発振を達成した。