11:30 〜 11:45 △ [12a-W611-10] SiC基板上1.3 µm帯横注入メンブレンレーザの作製と発振特性 〇山岡 優1、中尾 亮1、藤井 拓郎1、武田 浩司1、開 達郎1、西 英隆1、硴塚 孝明1、土澤 泰1、松尾 慎治1 (1.NTT先端集積デバイス研)