[12a-W611-1~11] 3.13 半導体光デバイス

△ [12a-W611-10] SiC基板上1.3 µm帯横注入メンブレンレーザの作製と発振特性

〇山岡 優¹、中尾 亮¹、藤井 拓郎¹、武田 浩司¹、開 達郎¹、西 英隆¹、硴塚 孝明¹、土澤 泰¹、松尾 慎治¹ (1.NTT先端集積デバイス研)

キーワード：半導体レーザー

本報告では、低消費電力・アンクール動作可能な高速直接変調レーザ実現を目的として、低屈折率・高熱伝導率のSiC基板上に1.3 µm帯横注入メンブレンレーザを作製した。SiC基板による十分な放熱効果を得るため極薄膜のSiO₂膜(40 nm)を介したInPとSiC基板の酸素プラズマ表面活性化接合を確立し、室温から高温までの連続発振を達成した。