[12a-W611-1~11] 3.13 半導体光デバイス

[12a-W611-9] GaInAsP/InPリッジ埋め込み構造による半導体薄膜分布反射型レーザの微分抵抗

〇高橋 直樹^1,2、中村 なぎさ^1,2、吉田 崇将^1,2、方 偉成^1,2、雨宮 智宏^1,2、西山 伸彦^1,2、荒井 滋久^1,2 (1.東工大、2.科学技術創成研究院)

キーワード：レーザ、薄膜

大規模集積回路上オンチップ光配線の実現に向けた光源として我々は半導体薄膜分布反射型レーザを提案、実現してきた。これまでに、低消費電力動作可能なリッジ埋め込みストライプ構造を導入した半導体薄膜分布反射型レーザの理論検討を行っており、今回、MOVPEによるリッジ構造の形成を見据えた微分抵抗の理論検討とMOVPEによるリッジ埋め込みストライプ構造の形成を行ったのでご報告する。