[12a-W631-1~13] CS.3 Code-sharing Session of 3.11 & 13.6

[12a-W631-1] [Young Scientist Presentation Award Speech] Mechanical modulation of the bound exciton lifetime in a GaAs resonator

〇Ryuichi Ohta¹, Hajime Okamoto¹, Takehiko Tawara^1,2, Hideki Gotoh¹, Hiroshi Yamaguchi¹ (1.NTT BRL, 2.NTT NPC)

Keywords:Mechanical resonator, Bound exciton, Lifetime modulation

半導体の励起子寿命は光素子の発光強度や応答速度を決める重要な物理量であり、励起子寿命の制御により光素子の高性能化や高機能化が可能となる。従来、励起子寿命の制御には磁場や電場が用いられていたが、今回、化合物半導体の圧電効果を利用することで機械振動子の歪による励起子寿命の制御を実現した。外場を用いない本手法は集積素子や高速素子への適応を可能とする励起子寿命の変調手法として期待される。