2019年第66回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

8 プラズマエレクトロニクス » 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

[12a-W641-1~14] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

2019年3月12日(火) 09:00 〜 12:45 W641 (W641)

竹田 圭吾(名城大)、鈴木 陽香(名大)

09:00 〜 09:15

[12a-W641-1] プラズマ励起ラジカルの強制対流による高品質グラフェンの低温合成

金 載浩1、榊田 創1、板垣 宏知1 (1.産総研)

キーワード:プラズマCVD、グラフェン、低温合成

プラズマ励起ラジカルの強制対流を用いたFC-PECVD法を開発し、中間圧(1 - 10 Torr)・低温(400℃以下)で高品質の単層グラフェン合成に成功した。従来のPECVD法の限界を克服し、画期的なグラフェンの合成法およびプロセス技術として今後の発展が期待される。