[12a-W641-1~14] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

[12a-W641-9] [講演奨励賞受賞記念講演] スパッタエピタキシーによるサファイア基板上(ZnO)_x(InN)_1-x薄膜の2段階成長

〇宮原 奈乃華¹、浦川 聖市¹、山下 大輔¹、鎌滝 晋礼¹、古閑 一憲¹、白谷 正治¹、板垣 奈穂¹ (1.九大シス情)

キーワード：RFマグネトロンスパッタリング、結晶成長、表面モフォロジー

筆者らは，可変バンドギャップの擬二元系混晶(ZnO)_x(InN)_1-x (以下ZION) を開発している．これまでに，単結晶ZnOをテンプレートとすることで世界初となる ZIONの単結晶成長を実現し，強い青色および緑色発光を観測している．さらに，成長初期における表面モルフォロジーの制御により，格子不整合率19–21%のサファイア基板上へのエピタキシャル成長に成功した．本研究では，上記サファイア基板上において，まず高温にて初期成長層を作製した後，低温にてZION膜作製を行う2段階成長を行った．この狙いは，初期核形成とその成長・融合を精緻に制御し，汎用性の高いサファイア基板上において高い結晶品質と表面平坦性を兼ね揃えたZION膜を実現することにある．