[12a-W834-1~6] 6.5 表面物理・真空

[12a-W834-5] 窒素暴露した半導体フォトカソードの加熱処理に伴う表面機能変化

〇佐藤 大樹¹、西谷 智博²、本田 善央²、天野 浩² (1.名大院工、2.名大IMaSS)

キーワード：NEA半導体フォトカソード、表面、量子効率