[12p-M101-1~14] 10.4 半導体スピントロニクス・超伝導・強相関

[12p-M101-14] As₂を用いた (110)GaAs/AlGaAs量子井戸のMBE成長及び再結合寿命・スピン緩和時間の測定

〇岡本 亮吾¹、揖場 聡²、齋藤 秀和²、湯浅 新治²、大野 裕三¹ (1.筑波大、2.産総研)

キーワード：量子井戸、スピン緩和時間

(110)面方位のGaAs量子井戸は室温で数nsの長いスピン緩和時間を有することから、半導体スピンデバイスのプラットフォームとして有望である。我々はMBE法を用いてGaAs(110)量子井戸の作製に取り組み、As源としてAs₄を使用し室温での再結合寿命4 nsを実現した。一方As₂を供給源に使用することでGaAs表面へのAs吸着性がより改善すると期待される。本研究ではAs₂を用いてGaAs (110)量子井戸を作製し再結合寿命とスピン緩和時間を系統的に評価したので報告する。