[12p-M101-1~14] 10.4 半導体スピントロニクス・超伝導・強相関

[12p-M101-6] 希薄磁性半導体超格子GaGdAs:Si/GaAsの PL測定によるフェルミ面位置の推定と磁気特性

〇高藤 誠¹、加藤 昇¹、船曳 晃弘¹、吉田 萌¹、宮川 勇人¹、狭間 優治²、秋山 英文² (1.香川大工、2.東京大物性研)

キーワード：半導体、磁性半導体

希土類元素であるGdを添加した希薄磁性半導体GaGdAs:Si/GaAs超格子構造を分子線エピタキシー（MBE法）により作製し、光学特性ならびに電気特性・磁気特性の評価を行った。PLスペクトルにおいてSiドープ量の増加に伴うフェルミ面位置の上昇が観察された。VSMによる磁化測定結果からは、Gdセル温度1400℃の試料において束縛磁気ポーラロンの形成によるキャリア誘起強磁性の発現が示唆された。