2019年第66回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.7 結晶評価,不純物・結晶欠陥

[12p-M111-1~13] 15.7 結晶評価,不純物・結晶欠陥

2019年3月12日(火) 13:30 〜 17:00 M111 (H111)

小野 敏昭(SUMCO)、仮屋崎 弘昭(GWJ)

16:00 〜 16:15

[12p-M111-10] シリコン結晶の高感度赤外吸収と赤外欠陥動力学(14)NO対系の赤外吸収と熱処理挙動

井上 直久1,2、川又 修一2、奥田 修一2 (1.東京農工大工学院、2.大阪府立大放射線センター)

キーワード:シリコン結晶、窒素酸素複合体、赤外吸収

低濃度窒素ドープCZシリコン結晶の濃度の赤外測定のためNO対の局在振動を検出し同定する。973,1002cm-1吸収がO(NO)O構造に、855,1064cm-1吸収がO(NO)に対応すると分かっている。736cm-1吸収は高温まで安定と確認し(NO)Oに対応させた。769cm-1吸収はFZ結晶の766cm-1NN吸収を消去しても残りNO吸収と考えられる。STDの大半を測定できる見通しが得られた。