2019年第66回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.7 結晶評価,不純物・結晶欠陥

[12p-M111-1~13] 15.7 結晶評価,不純物・結晶欠陥

2019年3月12日(火) 13:30 〜 17:00 M111 (H111)

小野 敏昭(SUMCO)、仮屋崎 弘昭(GWJ)

16:15 〜 16:30

[12p-M111-11] シリコン結晶中の低濃度炭素の測定(XVⅢ)赤外吸収とSIMSの相互較正

井上 直久1,2、川又 修一2、奥田 修一2 (1.東京農工大工学院、2.大阪府立大放射線センター)

キーワード:シリコン結晶、炭素濃度測定、赤外吸収

シリコン中の炭素濃度の赤外吸収測定を第二世代法により検出下限1013定量下限1014/cm3で実用化したので、絶対測定法のSIMSと改めて較正した。2x1014から2x1015/cm3で較正直線の勾配は換算係数0.82x1017/cm2と切片は電子線照射人工参照試料の濃度5x1013/cm3と一致した。SIMS測定したブロックゲージで装置を較正して他者と互換性のある正確な測定ができることを確かめた。