[12p-M111-1~13] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[12p-M111-2] CMOSイメージセンサ向け分子イオン注入エピタキシャルウェーハの製品特性（Ⅰ）
-水素脱離挙動の反応速度論解析-

〇奥山 亮輔¹、柾田 亜由美¹、鈴木 陽洋¹、小林 弘治¹、重松 理史¹、廣瀬 諒¹、門野 武¹、古賀 祥泰¹、栗田 一成¹ (1.SUMCO)

キーワード：分子イオン、水素

我々はCMOSイメージセンサの高性能化のために、炭化水素分子イオン注入エピタキシャルウェーハを開発してきた。炭化水素分子イオン注入領域は水素を捕獲、脱離するという従来報告がない拡散挙動を示すことが明らかとなっている。この脱離する水素によって界面準位欠陥に対するパッシベーション効果が期待される。本研究では、分子イオン注入領域における水素の脱離挙動に関して解析をおこなったので報告する。