[12p-M111-1~13] 15.7 Crystal characterization, impurities and crystal defects

△ [12p-M111-8] Error Factors in Carbon Quantitative Analysis in Si Using Room-Temperature Photoluminescence after Electron Irradiation

〇Yoichiro Ishikawa¹, Michio Tajima¹, Ryutaro Matsuoka¹, Atsushi Ogura¹ (1.Meiji Univ.)

Keywords:carbon, photoluminescence, silicon

高効率Si結晶太陽電池やIGBTなどの高性能Siパワーデバイスには，従来のFTIRでは測れない測定できない1×10¹⁵ cm^-3以下の炭素濃度低減化が必要とされている．そのような背景から低微量炭素不純物の定量技術として，電子線照射発光活性化フォトルミネッセンス (PL) 法が着目されている．本報告では，電子線照射後の室温PL測定で観測されるC-line近傍発光帯 (C08-band)を用いたSi結晶中の炭素濃度評価定量法についてのおける誤差要因について検討する．