[12p-M111-1~13] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

△ [12p-M111-8] 電子線照射発光活性化室温PL法によるシリコン結晶中の炭素定量の誤差要因の検討

〇石川 陽一郎¹、田島 道夫¹、松岡 竜太郎¹、小椋 厚志¹ (1.明治大理工)

キーワード：炭素、フォトルミネッセンス、シリコン

高効率Si結晶太陽電池やIGBTなどの高性能Siパワーデバイスには，従来のFTIRでは測れない測定できない1×10¹⁵ cm^-3以下の炭素濃度低減化が必要とされている．そのような背景から低微量炭素不純物の定量技術として，電子線照射発光活性化フォトルミネッセンス (PL) 法が着目されている．本報告では，電子線照射後の室温PL測定で観測されるC-line近傍発光帯 (C08-band)を用いたSi結晶中の炭素濃度評価定量法についてのおける誤差要因について検討する．