[12p-M113-1~9] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[12p-M113-5] 印刷と焼成によるSi基板上へのSiGe層のエピタキシャル成長におけるSi基板方位の影響

〇(D)中原 正博^1,4、深見 昌吾¹、Mel F. Hainey, Jr.¹、中川 慶彦¹、有元 圭介²、後藤 和泰¹、黒川 康良¹、前田 健作³、藤原 航三³、Marwan Dhamrin⁴、宇佐美 徳隆¹ (1.名大院工、2.山梨大クリスタル研、3.東北大金研、4.東洋アルミニウム)

キーワード：SiGe、液相エピタキシャル成長

低コストかつ単純な高速プロセスでSi基板上へのSiGe層作製に向け、Al-Ge混合ペーストの印刷と焼成をベースとしたAlによるSiとGeの融点降下現象を利用した液相エピタキシャル成長に注目した。これまでに、Si(100)基板上に、大面積に連続的なSiGe/ Si(100)界面を得たが、SiGeは島状にエピタキシャル成長した。そこで本研究では、Si(111)基板上にAl-Ge混合ペーストを塗布し、熱処理することで、Si基板方位がSiGeの成長に与える影響について調査した。