[12p-M113-1~9] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[12p-M113-8] c面サファイア基板上Ge(111)薄膜成長における双晶形成の抑制

〇(B)宮崎 滉¹、大武 史康²、岡田 健²、川島 知之²、鷲尾 勝由² (1.東北大工、2.東北大院工)

キーワード：Ge、c面サファイア、結晶成長

c面サファイア(α-Al₂O₃(001))基板上にGeを菱面体的に配置したGe(111)薄膜成長を検討し、低温成長と高温成長を組み合わせる二段階成長が結晶配向性の改善に有効であることを報告した。しかし、一層の結晶性向上には双晶形成の抑制が必要である。本研究では、二段階成長において原子層バッファを用いた場合のGe(111)薄膜の配向性を検討した。