[12p-W541-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

[12p-W541-4] 高温アニールしたスパッタ成膜AlNテンプレート上のAlGaN成長

〇上杉 謙次郎¹、正直 花奈子²、林 侑介³、三宅 秀人^2,3 (1.三重大地域創生戦略企画室、2.三重大院工、3.三重大院地域イノベ)

キーワード：AlGaN、MOVPE

スパッタ成膜と高温アニールで作製したAlNテンプレート上へのAlGaN成長では、螺旋あるいは混合転位を核としたスパイラル成長に起因して巨大なヒロックが形成され、表面平坦性と結晶性の低下が生じることが課題である。これに対して、オフ角度の大きいサファイア基板を用いることでヒロックの形成を抑制し表面平坦性の向上を確認した。