[12p-W541-1~12] 15.4 III-V-group nitride crystals

[12p-W541-7] Conductivity control of thick AlInN epitaxial films with silicon doping

〇(M1)Mizuki Yamanaka¹, Makoto Miyoshi¹, Takashi Egawa¹, Tetsuya Takeuchi² (1.Nagoya Inst. of Tech., 2.Meijo Univ.)

Keywords:AlInN, MOCVD

GaN系可視光レーザの高効率化に向けて、GaN、InGaNとの比屈折率差が大きいAlInN厚膜クラッド層の開発に取り組んでいる。これまでの研究成果として、c面サファイア上GaNにほぼ格子整合して形成した膜厚300 nmのAlInN膜においてRMS表面粗さが約1.8 nm 、c面自立GaN基板上で約0.5 nmと表面平坦な膜が得られたことを報告してきた。今回、我々は、c面サファイア上GaNに膜厚500 nmのSiドープAlInN膜を成長し、不純物濃度及びイオン化不純物濃度の評価を行った。