[12p-W611-1~11] 3.13 半導体光デバイス

[12p-W611-2] カットオフ構造を用いたVCSELとVCSEL増幅器の横方向集積

〇鷹箸 雅司¹、志村 京亮¹、顧 暁冬¹、中濱 正統¹、松谷 晃宏²、坂口 孝浩¹、小山 二三夫¹ (1.東工大未来研、2.東工大技術部)

キーワード：面発光レーザ

レーザ加工やLiDARなどの光センサのために高出力かつ高ビーム品質のレーザが求められている．本研究室ではスローライト光増幅器での260mWの出力を達成しているが外部光源を種光源としている．VCSELを種光源とした横方向の集積が可能であるが低い光結合効率が課題となっている．本報告ではカットオフ波長差による光閉じ込め効果を用いた高効率横方向結合の提案および製作を行い，結合量の検討を行ったので報告する．