[12p-W934-1~10] 9.3 ナノエレクトロニクス

[12p-W934-1] 化学的手法により組み立てた金ナノ粒子単電子トランジスタにおける配位子構造依存性

〇西崎 雄太¹、Younsu Jung¹、Seoungjoo Lee¹、Pipit Uky Vivitasari¹、Yoon Young Choi¹、坂本 雅典²、寺西 利治²、真島 豊¹ (1.東工大フロンティア研、2.京大化研)

キーワード：単電子トランジスタ

トランジスタの微細化、集積化の流れは、７ｎｍの製造プロセスを実現するに到っている。これらの微細化に伴うリーク電流の増大などの諸問題の解決に導く、全く異なるメカニズムで動作するトランジスタの創出が期待されている。そこで注目を集めはじめているデバイスに、量子力学的なトンネル電流を制御し、化学的に組み立てることが可能なボトムアップ単電子トランジスタがある。本研究では、無電解金メッキの自己停止機能を用いて作製した金ナノギャップ電極間に３脚フェノール分子保護金ナノ粒子をクーロン島として用いた単電子トランジスタにおいて、Sn-ポルフィリン４座自己組織化単分子膜の有無によるSET特性の配位子構造依存性を評価した。