[9a-M114-1~12] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

[9a-M114-1] Analysis of side etch mechanism during deep trench etching

〇Hiroyuki Tanaka^1,2, Hisato Ogiso^1,2, Shizuka Nakano^1,2, Yoshiyuki Nozawa^2,3, Toshihiro Hayami^2,3, Sommawan Khumpuang^1,2, Shiro Hara^1,2 (1.AIST, 2.MINIMAL, 3.SPPT)

Keywords:Bosch, minimalfab, Deep Trench Etching

Si基板深掘りエッチングにおいて、マスク端部直下に発生するアンダーカットやサイドエッチングが予期せず発生することがある。その発生メカニズムについては十分把握していなかった。特に深掘りエッチングの場合、長時間のエッチング過程でこれら２つの問題が発生するそれぞれの箇所は、両方ともエッチング開始時から常にプラズマエッチングに曝される場所である。これらの問題発生メカニズムと抑止方法を検討したので報告する。