The 66th JSAP Spring Meeting, 2019

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Oral presentation

13 Semiconductors » 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

[9a-M114-1~12] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

Sat. Mar 9, 2019 9:00 AM - 12:00 PM M114 (H114)

Hitoshi Habuka(Yokohama National University), Masato Sone(Tokyo Tech)

9:15 AM - 9:30 AM

[9a-M114-2] On Dislocation Control at the Time of Rapid Temperature Elevation in Minimal Laser Heating Furnace

kazushige sato1,3, Takashi Chiba1,3, Masao Terada1,3, Shinichi Ikeda1,2, Sommawan Khumpuang1,2, Shiro Hara1,2 (1.MINIMAL, 2.AIST, 3.Sakaguchi E.H VOC Corp.)

Keywords:Minimal Fab, Laser Heating

ミニマルレーザ加熱装置おいて、これまで転位について2種類のレーザを重ねることで制御できることを過去に報告したが、詳細に調べられていない。そこで今回は、一方のレーザ出力を変えることにより、急速昇温時の温度分布を意図的に変え転位の発生状況を調べた。転位の発生を抑えるには、リング形レーザが必要であること、更にその出力も適切な値があることが分かった。