[9a-M114-1~12] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[9a-M114-1] 深掘りエッチング時のサイドエッチメカニズムの解析

〇田中 宏幸^1,2、小木曽 久人^1,2、中野 禅^1,2、野沢 善幸^2,3、速水 利泰^2,3、クンプアン ソマワン^1,2、原 史朗^1,2 (1.産総研、2.ミニマルファブ推進機構、3.SPPテクノロジーズ)

キーワード：ボッシュ、ミニマル、深掘りエッチング

Si基板深掘りエッチングにおいて、マスク端部直下に発生するアンダーカットやサイドエッチングが予期せず発生することがある。その発生メカニズムについては十分把握していなかった。特に深掘りエッチングの場合、長時間のエッチング過程でこれら２つの問題が発生するそれぞれの箇所は、両方ともエッチング開始時から常にプラズマエッチングに曝される場所である。これらの問題発生メカニズムと抑止方法を検討したので報告する。