The 66th JSAP Spring Meeting, 2019

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Oral presentation

13 Semiconductors » 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

[9a-M114-1~12] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

Sat. Mar 9, 2019 9:00 AM - 12:00 PM M114 (H114)

Hitoshi Habuka(Yokohama National University), Masato Sone(Tokyo Tech)

9:45 AM - 10:00 AM

[9a-M114-4] Study for Quality Improvement of Minimal Plasma TEOS Film by Using Quality Engineering

Noriko Miura1, Kazuhiro Koga1, Hiroyuki Tanaka1,2, Yoshiyuki Nozawa3, Toshihiro Hayami3, Sommawan Khumpuang1,2, Shiro Hara1,2 (1.MINIMAL, 2.AIST, 3.SPPT)

Keywords:minimalfab, plasma CVD, Quality Engineering

ミニマルファブでは、絶縁膜成膜装置としてプラズマCVD装置を開発し、プラズマTEOS膜をCMOSデバイスプロセスに適用しているが、実用的なLSIを作製するにあたり、より緻密で安定性の高い膜質が要求される。そこで、品質工学的手法を用い、プロセスパラメータを最適化することでTEOS膜質の向上を図ったので、その結果について報告する。