[9a-M114-1~12] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[9a-M114-5] ミニマルファブで作成したコンタクト抵抗のばらつき評価

〇加瀬 雅¹、佐藤 和重^2,3、クンプアン ソマワン^1,2、原 史朗^1,2 (1.産業技術総合研究所、2.ミニマルファブ推進機構、3.坂口電熱株式会社)

キーワード：ミニマル、コンタクト抵抗、拡散

ミニマルファブをデバイス製造として利用するために、デバイス特性の安定性が必要であり、重要なキーはコンタクトホールの安定性である。今回、ミニマル装置を用いてコンタクト抵抗TEGを製造し、TML法で測定を行った。ウエハ内９箇所の平均で抵抗率は6.0E-4Ωcm^2、面内ばらつきが±35.0%であった。我々の試作しているPOMSからの要求値よりやや高い値であり、今後さらに微細化が進むとコンタクト抵抗の低抵抗化が必要になる。