[9a-M121-1~11] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[9a-M121-1] 過渡光支援容量法による絶縁膜/ワイドバンドギャップ半導体界面深い準位の解析

〇平岩 篤^1,2、大久保 智³、堀川 清貴³、川原田 洋^1,2,3,4 (1.早大ナノ・ライフ、2.名大未来研、3.早大理工、4.早大材研)

キーワード：ワイドバンドギャップ半導体、界面準位、光支援容量

ワイドバンドギャップ半導体／絶縁膜界面の深い準位を解析するため、新しい光支援容量電圧法を先回報告した。解析精度のさらなる向上に向け、UV光照射下における容量の過渡変化に着目する解析法を開発した。本法の解析により時間に対し線型的に依存する成分が顕在化した。本解析結果と先報の光支援容量電圧法の結果のいずれからも同線型成分を除外すると両者がほぼ一致するところから、両解析法が妥当であることを確認した。