[9a-M121-1~11] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [9a-M121-10] Quartz-free-HVPE成長n型GaN層における補償アクセプタの起源解明

〇鐘ヶ江 一孝¹、藤倉 序章²、乙木 洋平²、今野 泰一郎²、吉田 丈洋²、堀田 昌宏^1,3,4、木本 恒暢¹、須田 淳^1,3,4 (1.京大院工、2.SCIOCS、3.名大未来材料・システム研究所、4.名大院工)

キーワード：窒化ガリウム、深い準位、補償アクセプタ

GaN縦型パワーデバイスのドリフト層の成長法としてquartz-free-HVPE (QF-HVPE)法が注目を集めている。高速成長が可能なQF-HVPE法は、原材料にCを含まないため、補償アクセプタとして働くC関連欠陥の低減が期待される。本研究では、10¹⁵ cm^-3台の低ドープQF-HVPE成長n型GaN層中の不純物と深い準位の密度の詳細な評価から、補償アクセプタはH1トラップ(C関連欠陥)でほとんど説明できることが明らかになった。