12:15 PM - 12:30 PM
[9a-M121-11] Measurement accuracy of net donor concentration of low-doped n-type GaN by C-V analysis of lateral Schottky diode structure
Keywords:gallium nitride, sapphire substrate, TCAD
横型ショットキーダイオード構造の容量-電圧(C-V)測定においては、低ドープとなると、電極サイズによっては空乏層の伸びやシート抵抗に起因する誤差が無視できなくなってくる恐れがある。そこで本研究では、TCADシミュレーションにより横型ショットキーダイオード構造における実効ドナー密度の測定精度について検討を行い、また、実際の測定結果との比較も行った。