[9a-M121-1~11] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[9a-M121-3] SiO₂/GaN界面の固定電荷に対するGaN表面状態の影響

〇上沼 睦典¹、安藤 領汰¹、古川 暢昭¹、石河 泰明¹、浦岡 行治¹ (1.奈良先端大)

キーワード：GaN、MOS界面