[9a-M121-1~11] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[9a-M121-4] SiO₂/GaN MOSデバイスに対するフォーミングガス熱処理の効果

〇山田 高寛¹、和田 悠平¹、寺島 大貴¹、野崎 幹人¹、上野 勝典²、高島 信也²、山田 永³、高橋 言緒³、清水 三聡³、細井 卓治¹、志村 考功¹、渡部 平司¹ (1.大阪大学、2.富士電機、3.産総研)

キーワード：GaN、フォーミングガスアニール、SiO2