[9a-M121-1~11] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[9a-M121-5] Al₂O₃/GaN界面に形成されたチャネル中の電子移動度

〇田岡 紀之¹、グェン フウ チュン¹、山田 永¹、高橋 言緒¹、清水 三聡^1,2 (1.産総研-名大GaN-OIL、2.名大 IMaSS)

キーワード：GaN、移動度、界面